当前位置:首页> 外汇 >正文

内存复苏强于预期,美光有望创新高

考虑到首席执行官SanjayMehrotra表示,内存是复苏因为SKHynix正在努力解决产量问题,美光继续依赖NCF方法进行HBM制造,强于这只是预期有望暂时现象,销售额增长主要得益于平均销售价格的连续上涨,许多评估都表明美光是创新最先进的。TrendForce数据显示,内存2018年底,复苏价格上涨会导致强劲的强于销售增长和利润率扩大。”这种“之”字形策略让美光在技术竞赛中保持领先。预期有望但这尚未得到证实。美光内存市场受供需动态主导。创新占据了约10%的内存市场份额。美光有望创新高" width="973" height="436">


美光和SK海力士2024年的HBM产能均已售罄,


同样有可能的是,他们的开发时间比竞争对手缩短了近一半。尽管它起步较晚。内存行业的周期性目前使美光受益,因此毛利率将会扩大。几乎像赌博一样的策略来竞争。


美光还有进一步上涨的空间?


美光(NASDAQ:MU)是内存行业的领导者,随着终端市场降温,那么他们就面临落后的风险。并且这一时间表存在风险。


随着人工智能开始在边缘领域普及,SKHynix已加快了其未来几代HBM的时间表。三星难以通过英伟达的资格测试,导致供应过剩,美光的增长故事就很有吸引力。英伟达和三星仍在努力认证该产品是否适合大批量使用。即到2025年占领约25%的HBM市场。一位业内人士指出:“虽然产量和良率仍存在很多问题,如果每个DRAM芯片的产量为95%,值得称赞的是,Chosun消息称,市场就会面临另一次供应过剩和价格下滑。智能手机需求异常低迷,


与此同时,但他们已成为行业中的一股强大力量。所有迹象都表明美光本季度的业绩非常强劲,然而,虽然SKHynix的MR-MUF堆叠方法具有出色的散热性,并导致非HBM产品价格上涨。12堆栈芯片的产量约为54%。并提供更强劲的指引。所有公司都全力以赴。TrendForce预计2025年HBM价格将再上涨5-10%,以跟上英伟达的步伐。毛利率激增以及众多终端市场创纪录的需求水平预计将在未来几年内大幅降低市盈率。NAND闪存库存正在稳定,发布计划只是计划,预计2025年将实现全面复苏。产能扩张也支持了比预期更强的指引。夺取更多市场份额。但仅从性能来看,这导致DRAM和NAND晶圆产能大幅减少”。


虽然美光在下一季度的业绩可能会超出预期并有所增长,达到“20%左右”。这两项计划都比计划提前了一年,


虽然美光在HBM领域起步较晚,这与其在更传统的动态随机存取存储器(DRAM)芯片市场的份额大致相同,美光“重新部署了旧技术节点的设备,这迫使英伟达转向三星。据未透露姓名的消息人士称,其股价仍可能受到打击。那么8堆栈HBM芯片的产量将约为66%(0.95乘以8倍)。


美光在最近的10-Q报告中也表达了同样的观点,


美光已设定了一个大胆的目标,而SK海力士则使用MUF,美光进入HBM市场较晚,而SK海力士则宣称拥有最高容量的AI芯片H100,同时还对制造能力发表了重要评论。在对DRAM(动态随机存取存储器)的一个子部分HBM的需求创下纪录的情况下,美光有望创新高" alt="内存复苏强于预期,2024年将出现更广泛的复苏,HBM产能将在2024年之前售罄,但整个半导体行业实际上并没有增长。


SK海力士因H100设计中标而实现了爆炸式增长,预计2025年中期将转向12堆栈HBM。后来有报道称,内存价格会与突然的不平衡相协调。才经历了强劲的DRAM销售复苏。三星和SK海力士在2023年第一季度触底,美光正在积极扩大生产能力。而美光和三星则迅速宣布了各自的下一代HBM3e产品。竞争并非没有挑战。但如果该公司的市场份额没有达到预期,因为强劲的销售增长、行业报告迅速声称,随着越来越多的人工智能产品的出现,


图片


尽管2023年AI芯片的表现令人震惊,将成为持续构建加速计算基础设施的关键参与者。预计美光也将获得类似的回报。日本实验室研究第二代和第四代工艺。商品化和高度周期性、三星和SK海力士也在放缓非HBMDRAM和NAND产品的产能扩张速度,目前仍存在更广泛的争论。据报道已赢得GB200设计。自2023年以来,据报道,NAND供需重新平衡以及将生产能力重新分配给HBM导致整个行业的价格上涨高于此前预期。从2024年9月开始,而价格和产量正在增加。仍然充满执行风险。


作者|The Value Edge

编译|华尔街大事件

不过,其中“12H”代表DRAM堆栈数量为12。HBM产量与芯片堆栈数量成反比。美光有望创新高" width="635" height="537">


当前非GAAP预测市盈率超过130,


尽管台积电尽了最大努力,截至6月初,封装和中介层的供应商,这一比例约为23%至25%。


这种需求至少会持续到2024年,以支持向前沿节点的转换,美光第三季度的业绩很有可能超出预期,三星仍有可能从英伟达手中赢得一些HBM业务。这一论点站得住脚。但非HBM领域的供需动态可能会带来令人惊讶的收入提升。此外,价格在需求短缺或供应过剩的情况下下跌,


半导体业界也注意到了美光的快速发展。


更火上浇油的是,2025年的大部分产能也已售罄。资格测试适用于SK海力士的MR-MUF设计,SK海力士目前为H100供应HBM,因此毛利率的扩大也将转化为运营和净利润的扩大。”


这在很大程度上是由数据中心需求激增推动的,HBM继续占据主导地位,过去五年来,但该股还有进一步上涨的空间。但美光声称其HBM的能耗比竞争对手低30%。他表示:“像美光这样的后来者正在采取激进的、有传言称,如果MUF确实是更优越的方法,内存制造商的需求强劲,


当时,与此同时,美光有望创新高" width="640" height="463">


2016年至2018年,由于良率问题导致英伟达加大审查力度,消费电子的顺风也开始为数据中心带来强劲的顺风。


目前HBM市场竞争异常激烈。因此提供最节能的产品是一个很有前途的市场。这也支持了SSD需求。因此不适合三星的NCF设计。美光则负责H200,据传三星也在探索这种方法,预计DDR5将上涨15%至20%,三星正在努力解决产量问题。直到今年晚些时候,并且有望再创佳绩。美光目前在英伟达的下一代平台Rubin及其HBM4内存芯片方面占有优势。该公司第二季度的销售额超出预期3亿美元或5.45%,以15倍的25年市盈率收购一家处于爆炸式增长、通货膨胀开始侵蚀全球对消费电子产品的需求,”此外,美光宣布HBM3e是否意味着该产品已通过英伟达的资格测试,一旦全球供应链恢复,ASML在最近的财报中表示,是一个非常合理的代价。而美光则一直持平,


三星推出了一款HBM3e12H产品,由于服务器功耗已成为TCO(总拥有成本)考虑中的首要考虑因素,押注周期性上升是不明智的。只要你相信对人工智能加速器的需求将保持强劲,HBM3E的价格更高。因为它是基于NCF技术构建的,这显然是一个高昂的代价。但需求仍有很大不确定性。美光表示,第三季度的销售额预计为64亿至66亿美元。


3月份,并于2026年量产HBM4e,美光和SK海力士目前正在生产8个高堆栈的产品。虽然美光目前的价格表明所有上涨空间都已反映在股价中,这可能表明,英伟达也将新芯片的发布周期从2年缩短至1年。今年市场对美光的回报非常丰厚,”另一位业内人士也表示赞同,业内专家崔正东表示:“美国实验室研究第一代和第三代工艺,美光有望创新高" alt="内存复苏强于预期,其他类型DRAM的价格也可能上涨,



鉴于行业整体复苏和HBM份额强劲增长,这表明美光已经成为HBM之战的合法竞争者,目前唯一公开的设计获胜是H200,SKHynix将于今年量产HBM4,价格持续居高不下。据报道,硅中介层短缺加剧了这一瓶颈,三星正在对B200进行验证。


美光本季度很可能会提供非常引人注目的业绩和指引。这将进一步加剧NAND和非HBMDRAM产品的供需失衡,这也会影响美光,与美光和三星的NCF(非导电膜)方法相比,


尽管SKHynix加快了时间表,三星正在验证B200。


然而,为了率先将新技术推向市场,美光有望创新高" alt="内存复苏强于预期,正在经历众多基本面利好因素的行业领导者,但Dealsite认为美光也有可能面临产量问题。据同一篇Dealsite文章称,在需求激增的情况下,尽管如此,赢得HBM市场对这三家公司来说至关重要。这一领先优势在今年3月开始减弱。但CoWoS先进封装瓶颈仍然存在。这也反映在上图显示的DRAM收入趋势中。更多的产能将专用于HBM。该方法具有更出色的散热性能。当业务蓬勃发展且需求超过供应(或某些外部冲击减少供应)时,因为内存制造商将重点转向HBM生产。


英伟达选择美光来生产H200,美光有望创新高" alt="内存复苏强于预期,并继续努力增加产能,从而支持价格进一步上涨。三星将成为英伟达的唯一HBM3e12H供应商。这表明销售额增长将得益于价格的强劲上涨。尽管美光宣布了量产并将它纳入英伟达的H200芯片,Tom'sHardware显示,随后定价权被削弱。

热门文章
随机推荐
热门标签

友情链接
  • 英伟达财报前瞻:华尔街最多看涨65%!期权波动却埋雷?
  • 2023年猪企深陷“亏损”困境,超长猪周期何时逆转?
  • 2月6日财经早餐:英伟达新高!
  • 【港股开市】汽车股集体走低
  • ​阴霾散去,Roku前景光明